SAMWIN

SW8N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SW38N65KF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：38A 功率(Pd)：313W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：118mΩ@10V,19A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

SW7N80
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SW4N60
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，600V，4A，2Ω@10V

SW15N65D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SW18N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SW18N50
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SW16N65D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SW15P02
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：15A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,7.5A P沟道，20V,15A

SW6N80
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：113.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA N沟道，800V，6A，2Ω@10V