SAMWIN
商品列表
SW13N65K2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):13A 功率(Pd):134.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,6.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,650V,13A,0.24Ω@10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):13A 功率(Pd):134.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,6.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,650V,13A,0.24Ω@10V
SW7N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):173.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA N沟道,650V,7A,1.1Ω@10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):173.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA N沟道,650V,7A,1.1Ω@10V
SW10N70K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):25.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):420mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):25.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):420mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250μA
SW20N65K2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):40.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA N沟道,650V,20A,0.15Ω@10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):40.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA N沟道,650V,20A,0.15Ω@10V