KIA
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KNB3308B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):210W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):75nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):3.65nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):180pF@25V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj) 停产
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):210W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):75nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):3.65nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):180pF@25V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj) 停产
KNM2408A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):190A 功率(Pd):326W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,40A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):190A 功率(Pd):326W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,40A