KIA
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KNB2806A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):230W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):130nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):4.376nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):334pF@25V 工作温度:+175℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):230W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):130nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):4.376nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):334pF@25V 工作温度:+175℃@(Tj)
KND3206A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):62W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,24A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):50nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):3.4nF@55V 反向传输电容(Crss@Vds):145pF@55V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):62W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,24A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):50nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):3.4nF@55V 反向传输电容(Crss@Vds):145pF@55V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)