JJW
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JCT151K-800R
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: TO252-4 Vrrm:800V 500mW 12A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JJW 通态电流 It: 12 A 原始制造商: Jiangsu jiejie Microelectronics Co., Ltd 包装: Tape/reel 极性: Unidirectional 存储温度: -40℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 9.90 x 9.40mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 保持电流(Ih): 30mA 通道数: 1 可控硅类型: SCR 零件状态: Active 高度: 1.25mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: TO252-4 Vrrm:800V 500mW 12A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JJW 通态电流 It: 12 A 原始制造商: Jiangsu jiejie Microelectronics Co., Ltd 包装: Tape/reel 极性: Unidirectional 存储温度: -40℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 9.90 x 9.40mm 封装/外壳: TO-252-2(DPAK) 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 保持电流(Ih): 30mA 通道数: 1 可控硅类型: SCR 零件状态: Active 高度: 1.25mm 引脚数: 3Pin
JST41Z-800BW
供应商: Anychip Mall
分类: TRIAC(双向可控硅)
描述: 40A，800V，双向可控硅，同BTA41-800
可控硅类型: TRIAC 安装类型: DIP 包装: Tube packing 封装/外壳: TO-3P 配置: Single 工作温度(Tj): -40~+125℃ 通态电流It(RMS): 40 A 存储温度: -40~+150℃ 双向可控硅类型: Standard 栅极触发电压: 1.3V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.60mm 栅极触发电流: 50mA 高度: 24.10mm 引脚数: 3Pins 通道数: 1Channel Vrrm反向重复峰值电压: 800V 品牌: JJW 最小包装: 30pcs 系列: JST41 是否无铅: Yes
供应商: Anychip Mall
分类: TRIAC(双向可控硅)
描述: 40A，800V，双向可控硅，同BTA41-800
可控硅类型: TRIAC 安装类型: DIP 包装: Tube packing 封装/外壳: TO-3P 配置: Single 工作温度(Tj): -40~+125℃ 通态电流It(RMS): 40 A 存储温度: -40~+150℃ 双向可控硅类型: Standard 栅极触发电压: 1.3V 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.60mm 栅极触发电流: 50mA 高度: 24.10mm 引脚数: 3Pins 通道数: 1Channel Vrrm反向重复峰值电压: 800V 品牌: JJW 最小包装: 30pcs 系列: JST41 是否无铅: Yes
JMTL3415KL
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.1W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JJW 功率耗散: 1.1W 阈值电压: -0.7V 原始制造商: Jiangsu jiejie Microelectronics Co., Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 22pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 输入电容: 289pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.1W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JJW 功率耗散: 1.1W 阈值电压: -0.7V 原始制造商: Jiangsu jiejie Microelectronics Co., Ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 22pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 56mΩ 输入电容: 289pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
JMTQ55P02A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：55A 功率(Pd)：38W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 38W 击穿电压: -20V 阈值电压: -0.65V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 55A 封装/外壳: PDFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 459pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 0.75mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：55A 功率(Pd)：38W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 38W 击穿电压: -20V 阈值电压: -0.65V 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 55A 封装/外壳: PDFN8_3.3X3.3MM 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 459pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 12mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 0.75mm 晶体管类型: P沟道 引脚数: 8Pin
JMTL3400A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±12V 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：5.8A
安装类型: SMT 原始制造商: Jiangsu jiejie Microelectronics Co., Ltd 阈值电压Vgs(th): 0.9V 连续漏极电流Id@25℃: 5.8A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 输入电容Ciss: 702pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 通用MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23 FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：±12V 漏源极电压Vds：30V 连续漏极电流Id：5.8A
安装类型: SMT 原始制造商: Jiangsu jiejie Microelectronics Co., Ltd 阈值电压Vgs(th): 0.9V 连续漏极电流Id@25℃: 5.8A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 30V 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 输入电容Ciss: 702pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道
