JMTQ55P02A

品牌
JJW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):55A 功率(Pd):38W

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:38W
击穿电压:-20V
阈值电压:-0.65V
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:55A
封装/外壳:PDFN8_3.3X3.3MM
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
反向传输电容Crss:459pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):12mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:0.75mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥0.8775
10+¥0.8450
100+¥0.7670
500+¥0.7280
包装:1 库存:0