GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP
商品列表
GP1M005A050CH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.65 欧姆 @ 2.25A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 627pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 92.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.65 欧姆 @ 2.25A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 627pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 92.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
GP1M008A080FH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 欧姆 @ 4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 46nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1921pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 40.3W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 欧姆 @ 4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 46nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1921pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 40.3W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
;;3.jpeg)
GP2M004A065PG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.4 欧姆 @ 2A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 15nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 642pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 98.4W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.4 欧姆 @ 2A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 15nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 642pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 98.4W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
GDP03S060C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2
二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 3A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 3A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 122pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2
二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 3A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 3A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 122pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
GDP60P120B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V（1.2kV） 电流-平均整流（Io）: 60A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 60A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: 3581pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V（1.2kV） 电流-平均整流（Io）: 60A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 60A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: 3581pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
GSXD080A015S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 肖特基 150V 80A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 150V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 80A 不同If时的电压-正向（Vf: 880mV @ 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 3mA @ 150V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 肖特基 150V 80A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 150V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 80A 不同If时的电压-正向（Vf: 880mV @ 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 3mA @ 150V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GP2M020A050H
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 44nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2880pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 290W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 300 毫欧 @ 9A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 44nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2880pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 290W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 300 毫欧 @ 9A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
GP1M018A020PG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） I-PAK
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 170 毫欧 @ 9A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 18nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 950pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 94W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） I-PAK
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 170 毫欧 @ 9A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 18nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 950pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 94W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
GP1M010A060H
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1891pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 198W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1891pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 198W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
GP1M011A050FH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 11A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 670 毫欧 @ 5.5A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 28nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1423pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 51.4W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 11A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 670 毫欧 @ 5.5A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 28nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1423pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 51.4W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包