GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP
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GP2M005A060PGH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.2A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 658pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 98.4W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.1 欧姆 @ 2.1A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-Pak 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.2A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 658pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 98.4W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.1 欧姆 @ 2.1A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-Pak 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
GP1M010A060FH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1891pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1891pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GDP06S060A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2
二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 6A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 6A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 243pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2
二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 6A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 6A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 243pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
GP2M002A065CG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 1.8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.6 欧姆 @ 900mA， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.5nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 353pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 1.8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.6 欧姆 @ 900mA， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.5nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 353pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
GP1M003A080PH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.2 欧姆 @ 1.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 19nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 696pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 94W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.2 欧姆 @ 1.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 19nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 696pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 94W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
GP2M002A065HG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 1.8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.6 欧姆 @ 900mA， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.5nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 353pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 1.8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.6 欧姆 @ 900mA， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.5nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 353pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
GP1M005A040CG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 400V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3.4A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.6 欧姆 @ 1.7A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 7.1nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 522pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 400V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3.4A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.6 欧姆 @ 1.7A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 7.1nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 522pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
GP2M008A060HG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 23nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1063pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 23nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1063pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
GP1M008A050FG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 850 毫欧 @ 4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 21nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 937pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 39W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 850 毫欧 @ 4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 21nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 937pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 39W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GP1M016A025FG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 250V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 240 毫欧 @ 8A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 19nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 944pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 30.4W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 250V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 240 毫欧 @ 8A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 19nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 944pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 30.4W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包