GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP
商品列表
GP1M008A025FG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 250V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 600 毫欧 @ 4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.4nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 423pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 17.3W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 250V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 600 毫欧 @ 4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.4nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 423pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 17.3W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GP1M011A050FSH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 700毫欧 @ 5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 28nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1546pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 51.4W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 700毫欧 @ 5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 28nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1546pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 51.4W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GCMS012A120S1-E1
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module MOSFET 单相 1.2kV 200A SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: MOSFET 配置: 单相 电流: 200A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module MOSFET 单相 1.2kV 200A SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: MOSFET 配置: 单相 电流: 200A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
GP1M003A050FG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.5A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 395pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 17.3W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.8 欧姆 @ 1.25A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.5A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 395pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 17.3W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.8 欧姆 @ 1.25A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GP1M006A065FH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 5.5A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1177pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 39W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 5.5A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1177pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 39W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GCMS007A120S7B1
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module MOSFET 半桥 1.2kV 360A 电源模块
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: MOSFET 配置: 半桥 电流: 360A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module MOSFET 半桥 1.2kV 360A 电源模块
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: MOSFET 配置: 半桥 电流: 360A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块
GP2M010A065F
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 820 毫欧 @ 4.75A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1670pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 820 毫欧 @ 4.75A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1670pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GP1M009A090N
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9.5A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 65nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2324pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 312W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 欧姆 @ 4.75A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3PN 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9.5A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 65nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2324pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 312W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 欧姆 @ 4.75A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3PN 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
GP1M005A050H
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.65 欧姆 @ 2.25A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 627pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 92.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.65 欧姆 @ 2.25A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 627pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 92.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
GP1M010A080H
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.05 欧姆 @ 4.75A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 53nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2336pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 290W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.05 欧姆 @ 4.75A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 53nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2336pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 290W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3