GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP
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GP2D003A060A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2
二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 3A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.65V @ 3A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 158pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度-结: -55°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2
二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 3A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.65V @ 3A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 158pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度-结: -55°C ~ 175°C
GP1M009A090FH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 65nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2324pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 48W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 欧姆 @ 4.5A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 65nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2324pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 48W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 欧姆 @ 4.5A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GDP30P120B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V（1.2kV） 电流-平均整流（Io）: 81A 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: 1790pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V（1.2kV） 电流-平均整流（Io）: 81A 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: 1790pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
GP1M020A050N
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 20A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 300 毫欧 @ 10A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 54nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3094pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 312W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3PN 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 20A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 300 毫欧 @ 10A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 54nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3094pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 312W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3PN 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
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GP1M009A020PG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 414pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 400 毫欧 @ 4.5A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-Pak 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 9A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 414pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 400 毫欧 @ 4.5A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-Pak 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
GPA042A100L-ND
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
描述: IGBT NPT 和沟道 1000V 60A 463W 通孔 TO-264
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT类型: NPT 和沟道 电压-集射极击穿（最大值）: 1000V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 60A 脉冲电流-集电极(Icm): 120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.9V @ 15V，60A 功率-最大值: 463W 开关能量: 13.1mJ（开），6.3mJ（关） 输入类型: 标准 栅极电荷: 405nC 25°C时Td（开/关）值: 230ns/1480ns 测试条件: 600V，60A，50 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）: 465ns 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装: TO-264
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
描述: IGBT NPT 和沟道 1000V 60A 463W 通孔 TO-264
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT类型: NPT 和沟道 电压-集射极击穿（最大值）: 1000V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 60A 脉冲电流-集电极(Icm): 120A 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.9V @ 15V，60A 功率-最大值: 463W 开关能量: 13.1mJ（开），6.3mJ（关） 输入类型: 标准 栅极电荷: 405nC 25°C时Td（开/关）值: 230ns/1480ns 测试条件: 600V，60A，50 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）: 465ns 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装: TO-264
GP1M012A060H
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 650 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 39nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2308pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 231W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 650 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 39nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2308pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 231W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
GP1M008A050PG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 850 毫欧 @ 4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 21nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 937pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 850 毫欧 @ 4A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 21nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 937pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
GP1M007A065CG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 6.5A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1201pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 欧姆 @ 3.25A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 6.5A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1201pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.4 欧姆 @ 3.25A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
GP2D005A065C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO252
二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 650V 电流-平均整流（Io）: 15A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.65V @ 5A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 50µA @ 650V 不同 Vr，F时的电容: 264pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 工作温度-结: -55°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO252
二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 650V 电流-平均整流（Io）: 15A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.65V @ 5A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 50µA @ 650V 不同 Vr，F时的电容: 264pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 工作温度-结: -55°C ~ 175°C