ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC
Alpha and Omega Semiconductor is committed to excellence in design, manufacturing, and responsiveness to our customers through the continued development of new technologies, products and innovative solutions.
商品列表
AON7902
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A，13A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 710pF @ 15V 功率 - 最大值: 1.8W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerWDFN 供应商器件封装: 8-DFN-EP（3.3x3.3）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A，13A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 710pF @ 15V 功率 - 最大值: 1.8W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerWDFN 供应商器件封装: 8-DFN-EP（3.3x3.3）
AOB10N60L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 600V 10A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D²Pak）
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 40nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1600pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 250W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 600V 10A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D²Pak）
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 40nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1600pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 250W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
AOD496
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 62A TO252
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 62A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），62.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1200 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 62A TO252
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 62A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），62.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1200 pF @ 15 V
AO4818
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: * 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 888pF @ 15V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: * 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 888pF @ 15V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
AOB262L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Ta），140A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），333W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 115 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9800 pF @ 30 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Ta），140A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），333W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 115 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9800 pF @ 30 V
AOTF10N50FD
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1240 pF @ 25 V 基本产品编号: AOTF10
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 750 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.2V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 50W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1240 pF @ 25 V 基本产品编号: AOTF10
AON6405
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 最后售卖 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta），30A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.6V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），83W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（5x6） 封装/外壳: 8-PowerSMD，扁平引线 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 105 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5500 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 最后售卖 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Ta），30A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.6V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），83W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（5x6） 封装/外壳: 8-PowerSMD，扁平引线 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 105 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5500 pF @ 15 V
AON6932A
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
==Alpha & Omega Semiconductor Inc.<: >==- ==卷带（TR）<: >零件状态==不适用于新设计 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A，36A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1037pF @ 15V 功率 - 最大值: 3.6W，4.3W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-DFN（5x6）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 22A/36A 8DFN
==Alpha & Omega Semiconductor Inc.<: >==- ==卷带（TR）<: >零件状态==不适用于新设计 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A，36A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1037pF @ 15V 功率 - 最大值: 3.6W，4.3W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-DFN（5x6）
AO7401
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-3
Vgs(th)(Max)@Id: 1.4V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 2.5V, 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 5.06 nC @ 4.5 V SupplierDevicePackage: SC-70-3 BaseProductNumber: AO740 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 1.4A (Ta) Vgs(Max): ±12V Mfr: Alpha & Omega Semiconductor Inc. PowerDissipation(Max): 350mW (Ta) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 30 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Not For New Designs RdsOn(Max)@Id,Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Package/Case: SC-70, SOT-323 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 409 pF @ 15 V Series: - FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.21.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-3
Vgs(th)(Max)@Id: 1.4V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 2.5V, 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 5.06 nC @ 4.5 V SupplierDevicePackage: SC-70-3 BaseProductNumber: AO740 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 1.4A (Ta) Vgs(Max): ±12V Mfr: Alpha & Omega Semiconductor Inc. PowerDissipation(Max): 350mW (Ta) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 30 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Not For New Designs RdsOn(Max)@Id,Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Package/Case: SC-70, SOT-323 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 409 pF @ 15 V Series: - FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.21.0095