ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC
Alpha and Omega Semiconductor is committed to excellence in design, manufacturing, and responsiveness to our customers through the continued development of new technologies, products and innovative solutions.
商品列表
AOTF10T60L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 700毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 43W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1346 pF @ 100 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 700毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 43W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3F 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1346 pF @ 100 V
AO7600
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA，600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 120pF @ 10V 功率 - 最大值: 300mW 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: SC-70-6
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA，600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 120pF @ 10V 功率 - 最大值: 300mW 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: SC-70-6
AO4442
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 75V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3.1A（Ta） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 350pF @ 37.5V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 130 毫欧 @ 3.1A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 8-SOIC 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 75V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3.1A（Ta） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 350pF @ 37.5V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 130 毫欧 @ 3.1A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 8-SOIC 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
AO4613
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 630pF @ 15V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 7.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 630pF @ 15V 功率 - 最大值: 2W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC
AON6934
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A，30A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1037pF @ 15V 功率 - 最大值: 3.6W，4.3W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-DFN（5x6）
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停产 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A，30A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1037pF @ 15V 功率 - 最大值: 3.6W，4.3W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-DFN（5x6）
AOTF474
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 75V 9A/47A TO220FL
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），47A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.9W（Ta），57.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220FL 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 75 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3370 pF @ 30 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 75V 9A/47A TO220FL
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），47A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.3 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.9W（Ta），57.5W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220FL 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 75 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3370 pF @ 30 V
AO7800
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 120pF @ 10V 功率 - 最大值: 300mW 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: SC-70-6
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 900mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 300 毫欧 @ 900mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 120pF @ 10V 功率 - 最大值: 300mW 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: SC-70-6
AON7548
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: AlphaMOS 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），23W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1086 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: AlphaMOS 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），23W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1086 pF @ 15 V
AOZ6643DI
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器
描述: IC REG BUCK ADJUSTABLE 3A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: EZBuck™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 功能: 降压 输出配置: 正 拓扑: 降压 输出类型: 可调式 输出数: 1 电压 - 输入（最小值）: 4.5V 电压 - 输入（最大值）: 18V 电压 - 输出（最小值/固定）: 0.8V 电压 - 输出（最大值）: 15.3V 电流 - 输出: 3A 频率 - 开关: 500kHz 同步整流器: 是 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 基本产品编号: AOZ6643
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器
描述: IC REG BUCK ADJUSTABLE 3A 8DFN
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: EZBuck™ 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 功能: 降压 输出配置: 正 拓扑: 降压 输出类型: 可调式 输出数: 1 电压 - 输入（最小值）: 4.5V 电压 - 输入（最大值）: 18V 电压 - 输出（最小值/固定）: 0.8V 电压 - 输出（最大值）: 15.3V 电流 - 输出: 3A 频率 - 开关: 500kHz 同步整流器: 是 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-DFN（3x3） 基本产品编号: AOZ6643
AOB2608L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A（Ta），72A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），100W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2995 pF @ 30 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO263
制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列: - 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A（Ta），72A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），100W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D²Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2995 pF @ 30 V