TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
TC7WH241FUTE12LF
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
描述: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SM8
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC7WH 零件状态: 停產 逻辑类型: 缓冲器，非反向 每个元件位数: 1 输入类型: - 输出类型: 三态 电流 - 输出高、低: 8mA，8mA 电压 - 供电: 2V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-TSSOP，8-MSOP（0.110，2.80mm 宽） 供应商器件封装: SM8 元件数: 2 基本产品编号: RN1425
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
描述: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SM8
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC7WH 零件状态: 停產 逻辑类型: 缓冲器，非反向 每个元件位数: 1 输入类型: - 输出类型: 三态 电流 - 输出高、低: 8mA，8mA 电压 - 供电: 2V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-TSSOP，8-MSOP（0.110，2.80mm 宽） 供应商器件封装: SM8 元件数: 2 基本产品编号: RN1425
CLS02(TE16L,Q)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 单二极管/整流器 系列: - 包装: 带卷（TR） 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 40V 电流-平均整流（Io）: 10A 不同If时的电压-正向（Vf）: 550mV @ 10A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: - 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1mA @ 40V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: L-FLAT™ 供应商器件封装: L-FLAT（4.0x8.2） 工作温度-结: -40°C ~ 125°C
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 单二极管/整流器 系列: - 包装: 带卷（TR） 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 40V 电流-平均整流（Io）: 10A 不同If时的电压-正向（Vf）: 550mV @ 10A 速度: 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: - 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1mA @ 40V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: L-FLAT™ 供应商器件封装: L-FLAT（4.0x8.2） 工作温度-结: -40°C ~ 125°C
2SA1930(Q,M)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 晶体管类型: PNP 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）: 5µA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 100mA，5V 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 整包 供应商器件封装: TO-220NIS 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 180 V 功率 - 最大值: 2 W 基本产品编号: TLP570
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 晶体管类型: PNP 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）: 5µA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 100mA，5V 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-3 整包 供应商器件封装: TO-220NIS 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 180 V 功率 - 最大值: 2 W 基本产品编号: TLP570
TC7SZ17AFS(TPL3)
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC7SZ 包装: Digi-Reel® 逻辑类型: 缓冲器，非反向 元件数: 1 每元件位数: 1 输入类型: 施密特触发器 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 32mA，32mA 电压-电源: 1.65 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-953 供应商器件封装: fSV
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC7SZ 包装: Digi-Reel® 逻辑类型: 缓冲器，非反向 元件数: 1 每元件位数: 1 输入类型: 施密特触发器 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 32mA，32mA 电压-电源: 1.65 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-953 供应商器件封装: fSV
TCR3DM13,LF
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳压器 - 线性 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 停产 稳压器拓扑: 正，固定式 电压-输出: 1.3V 电流-输出: 300mA 电压-跌落（典型值）: 0.45V @ 300mA 稳压器数: 1 电压-输入: 1.75 V ~ 5.5 V 电流-限制（最小值）: - 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 4-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 4-DFN（1x1）
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳压器 - 线性 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 停产 稳压器拓扑: 正，固定式 电压-输出: 1.3V 电流-输出: 300mA 电压-跌落（典型值）: 0.45V @ 300mA 稳压器数: 1 电压-输入: 1.75 V ~ 5.5 V 电流-限制（最小值）: - 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 4-UDFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 4-DFN（1x1）
CRZ30(TE85L,Q)
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 容差: ±10% 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: S-FLAT（1.6x3.5） 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 功率 - 最大值: 700 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 200 mA 基本产品编号: TC74VHC374
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 容差: ±10% 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: S-FLAT（1.6x3.5） 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 30 V 功率 - 最大值: 700 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 21 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 200 mA 基本产品编号: TC74VHC374
TK50J60U(Q)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 散装 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 50A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 65 毫欧 @ 25A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 67nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 4050pF @ 100V 功率-最大值: 400W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装: TO-3P（N） 其它名称: TK50J60UQ
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 散装 FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 50A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 65 毫欧 @ 25A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 67nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 4050pF @ 100V 功率-最大值: 400W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装: TO-3P（N） 其它名称: TK50J60UQ
TPW4R008NH,L1Q
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 116A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 800mW（Ta），142W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DSOP Advance 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 80 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 59 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5300 pF @ 40 V 基本产品编号: TPW4R008
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 116A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 800mW（Ta），142W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-DSOP Advance 封装/外壳: 8-PowerVDFN 漏源电压（Vdss）: 80 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 59 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5300 pF @ 40 V 基本产品编号: TPW4R008
2SA1312-BL(TE85L,F
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors RoHSStatus: RoHS Compliant Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max): 120 V OperatingTemperature: 125°C (TJ) ProductStatus: Obsolete Package/Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 TransistorType: PNP MountingType: Surface Mount Current-CollectorCutoff(Max): 100nA (ICBO) Series: - Frequency-Transition: 100MHz SupplierDevicePackage: S-Mini BaseProductNumber: 2SA1312 Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage VceSaturation(Max)@Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DCCurrentGain(hFE)(Min)@Ic,Vce: 350 @ 2mA, 6V Current-Collector(Ic)(Max): 100 mA Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.21.0075 Power-Max: 150 mW
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors RoHSStatus: RoHS Compliant Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max): 120 V OperatingTemperature: 125°C (TJ) ProductStatus: Obsolete Package/Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 TransistorType: PNP MountingType: Surface Mount Current-CollectorCutoff(Max): 100nA (ICBO) Series: - Frequency-Transition: 100MHz SupplierDevicePackage: S-Mini BaseProductNumber: 2SA1312 Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage VceSaturation(Max)@Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA DCCurrentGain(hFE)(Min)@Ic,Vce: 350 @ 2mA, 6V Current-Collector(Ic)(Max): 100 mA Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.21.0075 Power-Max: 150 mW
TMPM333FWFG
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 嵌入式 - 微控制器 系列: TX03 包装: 托盘 核心处理器: ARM® Cortex®-M3 核心尺寸: 32-位 速度: 40MHz 连接性: I²C，SIO，UART/USART 外设: POR，WDT I/O数: 78 程序存储容量: 128KB（128K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM容量: - RAM容量: 8K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）: 2.7 V ~ 3.6 V 数据转换器: A/D 12x10b 振荡器类型: 外部 工作温度: -20°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-LQFP（14x14）
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 嵌入式 - 微控制器 系列: TX03 包装: 托盘 核心处理器: ARM® Cortex®-M3 核心尺寸: 32-位 速度: 40MHz 连接性: I²C，SIO，UART/USART 外设: POR，WDT I/O数: 78 程序存储容量: 128KB（128K x 8） 程序存储器类型: 闪存 EEPROM容量: - RAM容量: 8K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）: 2.7 V ~ 3.6 V 数据转换器: A/D 12x10b 振荡器类型: 外部 工作温度: -20°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-LQFP（14x14）