TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
TCR2EN125,LF
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 1.25V 200MA 4SDFN
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TCR2EN 零件状态: 有源 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）: 1.25V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.55V @ 150mA 电流 - 输出: 200mA PSRR: 73dB（1kHz） 控制特性: 使能 保护功能: 过流 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 4-SDFN（0.8x0.8） 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 60 µA 基本产品编号: TCR2EN125
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 1.25V 200MA 4SDFN
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TCR2EN 零件状态: 有源 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）: 1.25V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.55V @ 150mA 电流 - 输出: 200mA PSRR: 73dB（1kHz） 控制特性: 使能 保护功能: 过流 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-XFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 4-SDFN（0.8x0.8） 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 60 µA 基本产品编号: TCR2EN125
SSM6N48FU,RF(D
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100mA（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15.1pF @ 3V 功率 - 最大值: 300mW 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: US6 基本产品编号: SSM6J08
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100mA（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15.1pF @ 3V 功率 - 最大值: 300mW 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: US6 基本产品编号: SSM6J08
TPC8132,LQ(S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
Vgs(th)(Max)@Id: 2V @ 200µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 4.5V, 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 34 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: 8-SOP BaseProductNumber: TPC8132 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 7A (Ta) Vgs(Max): +20V, -25V Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage PowerDissipation(Max): 1W (Ta) RoHSStatus: RoHS Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 40 V OperatingTemperature: 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Package/Case: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 1580 pF @ 10 V Series: U-MOSVI FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
Vgs(th)(Max)@Id: 2V @ 200µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 4.5V, 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 34 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: 8-SOP BaseProductNumber: TPC8132 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 7A (Ta) Vgs(Max): +20V, -25V Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage PowerDissipation(Max): 1W (Ta) RoHSStatus: RoHS Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 40 V OperatingTemperature: 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Package/Case: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 1580 pF @ 10 V Series: U-MOSVI FETType: P-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0095
TK40S10K3Z(T6L1,NQ
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 40A DPAK
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 93W（Tc） 工作温度: 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DPAK+ 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 100V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 61nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3110pF @ 10V 基本产品编号: TLP627
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 40A DPAK
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 93W（Tc） 工作温度: 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DPAK+ 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 100V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 61nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3110pF @ 10V 基本产品编号: TLP627
TC74LCX540FT(EL,M)
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
描述: IC BUFFER INVERT 3.6V 20TSSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: 74LCX 零件状态: 停产 逻辑类型: 缓冲器，反向 每个元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 三态 电流 - 输出高、低: 24mA，24mA 电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-TSSOP 元件数: 1 基本产品编号: DF2B7
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
描述: IC BUFFER INVERT 3.6V 20TSSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: 74LCX 零件状态: 停产 逻辑类型: 缓冲器，反向 每个元件位数: 8 输入类型: - 输出类型: 三态 电流 - 输出高、低: 24mA，24mA 电压 - 供电: 1.65V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 20-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-TSSOP 元件数: 1 基本产品编号: DF2B7
TLP190B(TPR,U,C,F)
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 电压 - 隔离: 2500Vrms 电流传输比（最小值）: - 电流传输比（最大值）: - 接通 / 关断时间（典型值）: 200µs，1ms 上升/下降时间（典型值）: - 输入类型: DC 输出类型: 光电型 电压 - 输出（最大值）: 8V 电流 - 输出/通道: 12µA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.4V Vce 饱和压降（最大）: - 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SMD（4 引线），鸥翼 供应商器件封装: 6-MFSOP，4 引线 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA 基本产品编号: TLP190
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOISOLTR 2.5KV PHVOLT 6-MFSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 电压 - 隔离: 2500Vrms 电流传输比（最小值）: - 电流传输比（最大值）: - 接通 / 关断时间（典型值）: 200µs，1ms 上升/下降时间（典型值）: - 输入类型: DC 输出类型: 光电型 电压 - 输出（最大值）: 8V 电流 - 输出/通道: 12µA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.4V Vce 饱和压降（最大）: - 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SMD（4 引线），鸥翼 供应商器件封装: 6-MFSOP，4 引线 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA 基本产品编号: TLP190
TK40P03M1(T6RSS-Q)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 40A DP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI-H 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 100µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DP 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.5 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1150 pF @ 10 V 基本产品编号: TK40P03
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 40A DP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVI-H 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 100µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DP 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.5 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1150 pF @ 10 V 基本产品编号: TK40P03
TK30S06K3L(T6L1,NQ
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 欧姆 @ 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 58W（Tc） 工作温度: 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DPAK+ 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1350 pF @ 10 V 基本产品编号: TK30S06
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIV 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 欧姆 @ 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 58W（Tc） 工作温度: 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: DPAK+ 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 60 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 28 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1350 pF @ 10 V 基本产品编号: TK30S06
TC7SET04FU(5L,JF,T
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 栅极和逆变器 系列: TC7SET 包装: Digi-Reel® 逻辑类型: 反相器 电路数: 1 输入数: 1 特性: - 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）: 2µA 电流-输出高，低: 8mA，8mA 逻辑电平-低: 0.8V 逻辑电平-高: 2V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 10.5ns @ 5V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: USV 封装/外壳: 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 其它名称: TC7SET04FU(5LJFTDKRTC7SET04FU(T5LJF)DKRTC7SET04FU(T5LJF)DKR-NDTC7SET04FUTFDKRTC7SET04FUTFDKR-ND
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 栅极和逆变器 系列: TC7SET 包装: Digi-Reel® 逻辑类型: 反相器 电路数: 1 输入数: 1 特性: - 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 电流-静态（最大值）: 2µA 电流-输出高，低: 8mA，8mA 逻辑电平-低: 0.8V 逻辑电平-高: 2V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 10.5ns @ 5V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: USV 封装/外壳: 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 其它名称: TC7SET04FU(5LJFTDKRTC7SET04FU(T5LJF)DKRTC7SET04FU(T5LJF)DKR-NDTC7SET04FUTFDKRTC7SET04FUTFDKR-ND
TLP716(TP,F)
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 逻辑输出
描述: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6DIP GW
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 输入 - 侧 1/侧 2: 1/0 电压 - 隔离: 5000Vrms 共模瞬变抗扰度（最小值）: 10kV/µs 输入类型: DC 输出类型: 推挽式/图腾柱 数据速率: 15MBd 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 75ns，75ns 上升/下降时间（典型值）: 15ns，15ns 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.65V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 20mA 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 100°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.268，6.80mm 宽） 供应商器件封装: 6-SDIP 鸥翼 通道数: 1 电流 - 输出/通道: 10 mA 基本产品编号: TLP716
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 逻辑输出
描述: OPTOISO 5KV PUSH PULL 6DIP GW
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 在售 输入 - 侧 1/侧 2: 1/0 电压 - 隔离: 5000Vrms 共模瞬变抗扰度（最小值）: 10kV/µs 输入类型: DC 输出类型: 推挽式/图腾柱 数据速率: 15MBd 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 75ns，75ns 上升/下降时间（典型值）: 15ns，15ns 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.65V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 20mA 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 100°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.268，6.80mm 宽） 供应商器件封装: 6-SDIP 鸥翼 通道数: 1 电流 - 输出/通道: 10 mA 基本产品编号: TLP716