TK40P03M1(T6RSS-Q)
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 30V 40A DP
物料参数
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | U-MOSVI-H |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 40A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 10.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.3V @ 100µA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DP |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17.5 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1150 pF @ 10 V |
| 基本产品编号: | TK40P03 |
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