TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
TK5A45DA(STA4,Q,M)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO220SIS
Vgs(th)(Max)@Id: 4.4V @ 1mA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 9 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: TO-220SIS BaseProductNumber: TK5A45 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 4.5A (Ta) Vgs(Max): ±30V Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage PowerDissipation(Max): 30W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 450 V OperatingTemperature: 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 1.75Ohm @ 2.3A, 10V Package/Case: TO-220-3 Full Pack MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Through Hole InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 380 pF @ 25 V Series: π-MOSVII FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO220SIS
Vgs(th)(Max)@Id: 4.4V @ 1mA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 9 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: TO-220SIS BaseProductNumber: TK5A45 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 4.5A (Ta) Vgs(Max): ±30V Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage PowerDissipation(Max): 30W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 450 V OperatingTemperature: 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 1.75Ohm @ 2.3A, 10V Package/Case: TO-220-3 Full Pack MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Through Hole InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 380 pF @ 25 V Series: π-MOSVII FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
TC74LVX14FTELM
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 栅极和逆变器 系列: TC74LVX 包装: 剪切带（CT） 逻辑类型: 反相器 电路数: 6 输入数: 6 特性: 施密特触发器 电压-电源: 2 V ~ 3.6 V 电流-静态（最大值）: 2µA 电流-输出高，低: 4mA，4mA 逻辑电平-低: 0.9V 逻辑电平-高: 2.2V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 14.1ns @ 3.3V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 14-TSSOP 封装/外壳: 14-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 其它名称: TC74LVX14FTELMCTTC74LVX14FTFCTTC74LVX14FTFCT-ND
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 栅极和逆变器 系列: TC74LVX 包装: 剪切带（CT） 逻辑类型: 反相器 电路数: 6 输入数: 6 特性: 施密特触发器 电压-电源: 2 V ~ 3.6 V 电流-静态（最大值）: 2µA 电流-输出高，低: 4mA，4mA 逻辑电平-低: 0.9V 逻辑电平-高: 2.2V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 14.1ns @ 3.3V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 14-TSSOP 封装/外壳: 14-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 其它名称: TC74LVX14FTELMCTTC74LVX14FTFCTTC74LVX14FTFCT-ND
HN1B04F(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
描述: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停产 晶体管类型: NPN，PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 300mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-74，SOT-457 供应商器件封装: SM6 基本产品编号: TCR3DM
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
描述: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停产 晶体管类型: NPN，PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 30V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 300mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-74，SOT-457 供应商器件封装: SM6 基本产品编号: TCR3DM
TPC8062-H,LQ(CM
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H 包装: 卷带（TR） 零件状态: 最后售卖 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.8 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 300µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2900 pF @ 10 V 基本产品编号: TLP750
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVII-H 包装: 卷带（TR） 零件状态: 最后售卖 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.8 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 300µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2900 pF @ 10 V 基本产品编号: TLP750
TC7SET34F,LJ(CT
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
描述: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
NumberofElements: 1 Category: Integrated Circuits (ICs)LogicBuffers, Drivers, Receivers, Transceivers RoHSStatus: ROHS3 Compliant LogicType: Buffer, Non-Inverting OperatingTemperature: -40°C ~ 85°C (TA) ProductStatus: Active Current-OutputHigh,Low: 8mA, 8mA Voltage-Supply: 4.5V ~ 5.5V Package/Case: SC-74A, SOT-753 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount Series: TC7SET SupplierDevicePackage: SMV BaseProductNumber: TC7SET34 NumberofBitsperElement: 1 InputType: - Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8542.39.0001 OutputType: Push-Pull
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
描述: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SMV
NumberofElements: 1 Category: Integrated Circuits (ICs)LogicBuffers, Drivers, Receivers, Transceivers RoHSStatus: ROHS3 Compliant LogicType: Buffer, Non-Inverting OperatingTemperature: -40°C ~ 85°C (TA) ProductStatus: Active Current-OutputHigh,Low: 8mA, 8mA Voltage-Supply: 4.5V ~ 5.5V Package/Case: SC-74A, SOT-753 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 MountingType: Surface Mount Series: TC7SET SupplierDevicePackage: SMV BaseProductNumber: TC7SET34 NumberofBitsperElement: 1 InputType: - Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8542.39.0001 OutputType: Push-Pull
TB62754AFNG(O,EL)
供应商: DigiKey
分类: PMIC - LED 驱动器
描述: IC LED DRIVER CTRLR DIM 20SSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停产 类型: DC DC 控制器 拓扑: 升压 内部开关: 是 输出数: 6 电压 - 供电（最低）: 4.5V 电压 - 供电（最高）: 5.5V 电压 - 输出: - 电流 - 输出/通道: 48mA 频率: 1.6MHz 调光: PWM 应用: 背光 工作温度: -40°C ~ 95°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 20-LSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-SSOP 基本产品编号: TC7SH02
供应商: DigiKey
分类: PMIC - LED 驱动器
描述: IC LED DRIVER CTRLR DIM 20SSOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 停产 类型: DC DC 控制器 拓扑: 升压 内部开关: 是 输出数: 6 电压 - 供电（最低）: 4.5V 电压 - 供电（最高）: 5.5V 电压 - 输出: - 电流 - 输出/通道: 48mA 频率: 1.6MHz 调光: PWM 应用: 背光 工作温度: -40°C ~ 95°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 20-LSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 20-SSOP 基本产品编号: TC7SH02
2SK2847(F)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 900V 8A TO3PIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 85W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3P（N）IS 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 漏源电压（Vdss）: 900 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 58 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2040 pF @ 25 V 基本产品编号: GT60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 900V 8A TO3PIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 85W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3P（N）IS 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 漏源电压（Vdss）: 900 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 58 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2040 pF @ 25 V 基本产品编号: GT60
TPC8026(TE12L,Q,M)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.6 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1800 pF @ 10 V 基本产品编号: TC74HC04
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.6 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1W（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP（5.5x6.0） 封装/外壳: 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1800 pF @ 10 V 基本产品编号: TC74HC04
TLP104(V4,E
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 逻辑输出
描述: OPTOISO 3.75KV OPEN COLL SO6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 输入 - 侧 1/侧 2: 1/0 电压 - 隔离: 3750Vrms 共模瞬变抗扰度（最小值）: 15kV/µs 输入类型: DC 输出类型: 开路集电极 数据速率: 1Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 550ns，400ns 上升/下降时间（典型值）: - 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.61V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 25mA 电压 - 供电: 4.5V ~ 30V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.179，4.55mm 宽），5 引线 供应商器件封装: 6-SO，5 引线 通道数: 1 电流 - 输出/通道: 8 mA 基本产品编号: TLP104
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 逻辑输出
描述: OPTOISO 3.75KV OPEN COLL SO6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 输入 - 侧 1/侧 2: 1/0 电压 - 隔离: 3750Vrms 共模瞬变抗扰度（最小值）: 15kV/µs 输入类型: DC 输出类型: 开路集电极 数据速率: 1Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 550ns，400ns 上升/下降时间（典型值）: - 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.61V 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 25mA 电压 - 供电: 4.5V ~ 30V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-SOIC（0.179，4.55mm 宽），5 引线 供应商器件封装: 6-SO，5 引线 通道数: 1 电流 - 输出/通道: 8 mA 基本产品编号: TLP104
2SC2712-OTE85LF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors RoHSStatus: RoHS Compliant Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max): 50 V OperatingTemperature: 125°C (TJ) ProductStatus: Active Package/Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 TransistorType: NPN MountingType: Surface Mount Current-CollectorCutoff(Max): 100nA (ICBO) Series: - Frequency-Transition: 80MHz SupplierDevicePackage: TO-236 BaseProductNumber: 2SC2712 Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage VceSaturation(Max)@Ib,Ic: 250mV @ 10mA, 100mA DCCurrentGain(hFE)(Min)@Ic,Vce: 70 @ 2mA, 6V Current-Collector(Ic)(Max): 150 mA Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.21.0095 Power-Max: 150 mW
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors RoHSStatus: RoHS Compliant Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max): 50 V OperatingTemperature: 125°C (TJ) ProductStatus: Active Package/Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 TransistorType: NPN MountingType: Surface Mount Current-CollectorCutoff(Max): 100nA (ICBO) Series: - Frequency-Transition: 80MHz SupplierDevicePackage: TO-236 BaseProductNumber: 2SC2712 Mfr: Toshiba Semiconductor and Storage VceSaturation(Max)@Ib,Ic: 250mV @ 10mA, 100mA DCCurrentGain(hFE)(Min)@Ic,Vce: 70 @ 2mA, 6V Current-Collector(Ic)(Max): 150 mA Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.21.0095 Power-Max: 150 mW