HN1B04F(TE85L,F)
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
描述
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
物料参数
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | - |
| 零件状态: | 停产 |
| 晶体管类型: | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 30V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 250mV @ 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 70 @ 100mA，1V |
| 功率 - 最大值: | 300mW |
| 频率 - 跃迁: | 200MHz |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SC-74，SOT-457 |
| 供应商器件封装: | SM6 |
| 基本产品编号: | TCR3DM |
无库存