UTC
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UTT10NP06G-S08-R
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
安装类型: SMT 品牌: UTC 功率耗散: 2W 阈值电压: 3V 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 3.6A,4.5A 长x宽/尺寸: - 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP8 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 输入电容: 1.5nF 最小包装: 1pcs 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8
安装类型: SMT 品牌: UTC 功率耗散: 2W 阈值电压: 3V 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 额定功率: 2W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 连续漏极电流: 3.6A,4.5A 长x宽/尺寸: - 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOP8 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 输入电容: 1.5nF 最小包装: 1pcs 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道和P沟道互补型 引脚数: 8Pin
4N65KG-TN3-R
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：34W
安装类型: SMT 品牌: UTC 功率耗散: 50W 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 650 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.20mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 670pF 栅极源极击穿电压: ±30 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 650V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：34W
安装类型: SMT 品牌: UTC 功率耗散: 50W 原始制造商: Unisonic Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4A 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 650 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.20mm 封装/外壳: TO252 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 670pF 栅极源极击穿电压: ±30 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: - 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 650V 晶体管类型: N沟道