UTT10NP06G-S08-R

品牌
UTC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8

物料参数

安装类型:SMT
品牌:UTC
功率耗散:2W
阈值电压:3V
原始制造商:Unisonic Technology Co., Ltd.
额定功率:2W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道,P-沟道
连续漏极电流:3.6A,4.5A
长x宽/尺寸:-
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOP8
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.5nF
最小包装:1pcs
漏源电压(Vdss):60V
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道和P沟道互补型
引脚数:8Pin