CET
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商品列表
CEZ3R04
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):26A 功率(Pd):39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):26A 功率(Pd):39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
CES2307
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.2A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA P沟道,30V,3.2A,78mΩ@10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.2A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA P沟道,30V,3.2A,78mΩ@10V
CEB20A03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):197A 功率(Pd):139W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):197A 功率(Pd):139W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA