UCC27517AQDBVRQ1
UCC27517A-Q1 单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 开关。 借助于固有的大大减少击穿电流的设计,UCC27517A-Q1 能够灌、拉高峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟(典型值为 13ns)。; UCC27517A-Q1 器件在输入上处理 -5V 电压。; 当 V; = 12V 时,UCC27517A-Q1 可提供峰值为 4A 的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。; UCC2
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