DI9435T

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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单

物料参数

类别:分立半导体产品
制造商:Diodes Incorporated
系列:-
包装:带卷(TR)
零件状态:在售
FET类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss):30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.3A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):950pF @ 15V
Vgs(最大值):±20V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):50 毫欧 @ 5.3A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-SO
封装/外壳:8-TSOP(0.130,3.30mm 宽)
价格梯度 价格
2500+¥1.0375
包装:2500 库存:2500