HXY

该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1200V高电压、大电流应用设计。额定电流36A，特别适合严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统，具备出色的高温稳定性能、低导通电阻及快速开关速度，是现代高效能源管理的理想半导体元件。