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IPD042P03L3G 是一款高性能P沟道MOSFET，采用散热良好的TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。器件提供30V的额定电压VDSS，可承载高达120A的连续电流ID，彰显其卓越的电力处理能力。其独特的3.7mΩ导通电阻RD(on)设计，确保了在高电流下仍能维持极低功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电池管理系统以及大电流负载开关等场景，是您实现高功率、高效能半导体解决方案的理想选择。