BC2301

品牌
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
塑料封装MOSFET,P沟道20-V(D-S)MOSFET SOT-23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:CBI
功率耗散:350mW
原始制造商:China Base Electronics Technology Co.,Ltd.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:2.3A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.10 x 1.65mm
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±8V
工作温度:+150℃
原产国家:China
漏源电压(Vdss):20V
认证信息:RoHS
零件状态:Active
高度:1.40mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin