BC2301
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分类
晶体管 > MOSFETs
描述
塑料封装MOSFET,P沟道20-V(D-S)MOSFET SOT-23
物料参数
安装类型: | SMT |
品牌: | CBI |
功率耗散: | 350mW |
原始制造商: | China Base Electronics Technology Co.,Ltd. |
包装: | Tape/reel |
极性: | P-沟道 |
连续漏极电流: | 2.3A |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸: | 3.10 x 1.65mm |
封装/外壳: | SOT-23 |
元件生命周期: | Active |
栅极源极击穿电压: | ±8V |
工作温度: | +150℃ |
原产国家: | China |
漏源电压(Vdss): | 20V |
认证信息: | RoHS |
零件状态: | Active |
高度: | 1.40mm |
晶体管类型: | P沟道 |
引脚数: | 3Pin |