FDN358P
品牌
ON
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=1.5A RDS(ON)=125mΩ@10V SOT23-3
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 500mW |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 原始制造商: | ON Semiconductor |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 1.5A |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: | 4.5V，10V |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 漏极电流: | 1.5A |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | America |
| FET功能: | - |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 栅极电荷(Qg): | 5.6nC |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |