FDT458P

品牌
ON
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.4A RDS(ON)=130mΩ@10V SOT223

物料参数

安装类型:SMT
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
是否无铅:Yes
功率耗散:3W
阈值电压:3V@250µA
原始制造商:ON Semiconductor
包装:Tape/reel
连续漏极电流:3.4A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-223-3
漏极电流:3.4A
工作温度:-55℃~+150℃
充电电量:2.5nC
配置:单路
原产国家:America
输入电容:205pF@15V
FET功能:-
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):3.5nC@10V
晶体管类型:P沟道