NTZD3154NT1G
品牌
ON
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±7V ID=540mA RDS(ON)=550mΩ@4.5V SOT563
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 250mW |
| 阈值电压: | 1V |
| 原始制造商: | ON Semiconductor Inc. |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 540mA |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 1.60 x 1.20mm |
| 封装/外壳: | SOT-563 |
| 漏极电流: | 540mA |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 2.5nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 550毫欧@540mA，4.5V |
| 原产国家: | America |
| FET功能: | 标准 |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | 2.5nC@4.5V |
| 晶体管类型: | 2个N沟道(双) |