PJSEMI

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>2A</SPAN> 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,3A 连续漏极电流（Id）（25°C 时):2A ,漏源电压（Vdss）:60V,栅源极阈值电压:1~2V@ 250uA,漏源导通电阻:<85mΩ @Vgs=10V <120mΩ @Vgs=4.5V,最大功率耗散（Ta=25°C）:0.9W, 类型:2A/60V N沟