RS4N65MD
品牌
REASUNOS
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=2Ω TO251-3
物料参数
| 封装/外壳: | TO251-3 |
| 安装类型: | DIP |
| 品牌: | REASUNOS |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 4A |
| 漏源电压(Vdss): | 650V |
| 极性: | N-Channel |
| 长x宽/尺寸: | 6.50 x 2.30mm |