MDU1514URH

品牌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
MagnaChip NMOS, MOSFET, Vds=30 V, PowerDFN56封装, 66 A, 表面贴装, 8引脚, Si晶体管

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:66 A
最大漏源电压:30 V
封装类型:PowerDFN56
安装类型:表面贴装
引脚数目:8
最大漏源电阻值:9 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:2.7V
最大功率耗散:46.2 W
晶体管配置:
最大栅源电压:-20 V、+20 V
每片芯片元件数目:1
最低工作温度:-55 °C
正向二极管电压:1.1V
最高工作温度:+150 °C
宽度:5.1mm
长度:6.1mm
典型栅极电荷@Vgs:19 nC @ 10 V
高度:1.1mm
晶体管材料:Si