PJSEMI

晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)：2.4V@5mA,0.2V 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)：1V@0.1mA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii)：300mV@10mA,0.5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：50@10mA,5V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：+150℃@(Tj) 晶体管类型:NPN, 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA