MDD2N60RH
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分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
MagnaChip MOSFET, N沟道, Si, Vds=600 V, 1.9 A, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
物料参数
| 通道类型: | N |
| 最大连续漏极电流: | 1.9 A |
| 最大漏源电压: | 600 V |
| 封装类型: | DPAK (TO-252) |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 引脚数目: | 3 |
| 最大漏源电阻值: | 4.5 Ω |
| 通道模式: | 增强 |
| 最大栅阈值电压: | 5V |
| 最大功率耗散: | 42 W |
| 晶体管配置: | 单 |
| 最大栅源电压: | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目: | 1 |
| 晶体管材料: | Si |
| 宽度: | 6.22mm |
| 高度: | 2.39mm |
| 典型栅极电荷@Vgs: | 6.7 nC @ 10 V |
| 最高工作温度: | +150 °C |
| 正向二极管电压: | 1.4V |
| 最低工作温度: | -55 °C |
| 长度: | 6.73mm |