DGTD120T25S1PT

品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>IGBT
描述
达尔 IGBT, Vce=1200 V, 50 A,100(脉冲)A, TO-247封装, 3引脚, 通孔安装

物料参数

最大连续集电极电流:50 A,100(脉冲)A
最大集电极-发射极电压:1200 V
最大栅极发射极电压:±20V
最大功率耗散:348 W
晶体管数:1
封装类型:TO-247
安装类型:通孔
引脚数目:3
晶体管配置:
尺寸:16.26 x 5.31 x 21.46mm
最低工作温度:-40°C
栅极电容:3942pF
最高工作温度:+175 °C