DMP21D6UFD-7

品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
DiodesZetex MOSFET, P沟道, Vds=20 V, 500(状态)mA,600(稳定)mA, 3引脚 X1-DFN1212封装

物料参数

通道类型:P
最大连续漏极电流:500(状态)mA,600(稳定)mA
最大漏源电压:20 V
封装类型:X1-DFN1212
安装类型:表面贴装
引脚数目:3
最大漏源电阻值:3 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:1V
最小栅阈值电压:0.5V
最大功率耗散:800 mW
晶体管配置:
最大栅源电压:±8 V
每片芯片元件数目:1
宽度:1.25mm
正向二极管电压:1.2V
最低工作温度:-55 °C
典型栅极电荷@Vgs:0.8 nC @ 8V
高度:0.48mm
最高工作温度:+150 °C
长度:1.25mm