DMN3012LFG-7

品牌
达尔
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
DiodesZetex, 场效应管Mosfet, NMOS, PowerDI3333封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:16(状态)A,20(稳定)A
最大漏源电压:30 V
封装类型:PowerDI3333
安装类型:表面贴装
引脚数目:8
最大漏源电阻值:12 mΩ
通道模式:增强
最大栅阈值电压:2.1V
最小栅阈值电压:1V
最大功率耗散:2.2 W
晶体管配置:
最大栅源电压:±10 V
最高工作温度:+150 °C
宽度:3.4mm
典型栅极电荷@Vgs:4.7 nC @ 4.5V
每片芯片元件数目:1
长度:3.4mm