IRF6715MTR1PBF

品牌
英飞凌
供应商
分类
半导体>>分立半导体>>MOSFET
描述
英飞凌 MOSFET 晶体管, DirectFET, HEXFET 系列, N沟道, Vds=25 V, 34 A, 7引脚 DirectFET MX封装

物料参数

通道类型:N
最大连续漏极电流:34 A
最大漏源电压:25 V
最大漏源电阻值:2 mΩ
最大栅阈值电压:2.4V
最小栅阈值电压:1.4V
最大栅源电压:-20 V、+20 V
封装类型:DirectFET MX
安装类型:表面贴装
晶体管配置:
引脚数目:7
通道模式:增强
类别:功率 MOSFET
最大功率耗散:2.8 W
高度:0.6mm
典型输入电容值@Vds:5340 pF @ 13 V
典型关断延迟时间:16 ns
系列:DirectFET, HEXFET
最高工作温度:+150 °C
典型栅极电荷@Vgs:40 nC @ 4.5 V
最低工作温度:-40 °C
长度:5.45mm
尺寸:5.45 x 5.05 x 0.6mm
典型接通延迟时间:20 ns
每片芯片元件数目:1
宽度:5.05mm