NE3521M04-T2-A

品牌
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 射频
描述
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

物料参数

制造商:CEL
系列:-
包装:卷带(TR)
零件状态:停產
晶体管类型:N 沟道 GaAs HJ-FET
频率:20GHz
增益:11dB
额定电流(安培):70mA
噪声系数:0.85dB
功率 - 输出:-
封装/外壳:4-SMD,扁平引线
电压 - 测试:2 V
电流 - 测试:6 mA
电压 - 额定:4 V