IRFB4215PBF

品牌
INTERNATIONAL
供应商
分类
MOSFET
描述
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 113.3nC

物料参数

制造商:InternationalRectifier
产品种类:MOSFET
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:TO-220-3
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60V
Id-连续漏极电流:115A
RdsOn-漏源导通电阻:9mOhms
Vgs-栅极-源极电压:20V
Qg-栅极电荷:113.3nC
最大工作温度:+175C
封装:Tube
通道模式:Enhancement
商标:InternationalRectifier
配置:Single
下降时间:110ns
最小工作温度:-55C
Pd-功率耗散:270W
上升时间:160ns
工厂包装数量:3000
晶体管类型:1N-Channel
典型关闭延迟时间:77ns
典型接通延迟时间:22ns