IXYH100N65A3

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分立半导体产品>>晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述
IGBT

物料参数

制造商:IXYS
系列:XPT™, GenX3™
包装:管件
零件状态:有源
IGBT 类型:-
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,70A
开关能量:3.15mJ(开),2.2mJ(关)
输入类型:标准
25°C 时 Td(开/关)值:24ns/174ns
测试条件:400V,50A,2 欧姆,15V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):480 A
功率 - 最大值:470 W
栅极电荷:178 nC
反向恢复时间 (trr):64 ns
基本产品编号:IXYH100
价格梯度 价格
300+¥6.7414
包装:300 库存:0