IRFS7430PBF
品牌
INTERNATIONAL
供应商
分类
Semiconductores>>Semiconductores discretos>>Transistores>>MOSFET
描述
MOSFET 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
物料参数
| Categoríadeproducto: | MOSFET |
| Fabricante: | Infineon |
| Tecnología: | Si |
| Estilodemontaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Cubierta: | TO-252-3 |
| Númerodecanales: | 1Channel |
| Polaridaddeltransistor: | N-Channel |
| Vds-Tensióndisruptivaentredrenajeyfuente: | 40V |
| Id-Corrientededrenajecontinua: | 195A |
| RdsOn-Resistenciaentredrenajeyfuente: | 1.2mOhms |
| Vgs-Tensiónentrepuertayfuente: | 20V |
| Vgsth-Tensiónumbralentrepuertayfuente: | 3.9V |
| Qg-Cargadepuerta: | 300nC |
| Temperaturadetrabajomínima: | -55C |
| Temperaturadetrabajomáxima: | +175C |
| Empaquetado: | Tube |
| Nombrecomercial: | StrongIRFET |
| Marca: | Infineon/IR |
| Configuración: | Single |
| Tiempodecaída: | 100ns |
| Transconductanciahaciadelante-Mín.: | 150S |
| Altura: | 2.3mm |
| Longitud: | 6.5mm |
| Dp-Disipacióndepotencia: | 375W |
| Tiempodesubida: | 105ns |
| Cantidaddeempaquedefábrica: | 1000 |
| Tipodetransistor: | 1N-Channel |
| Tiempoderetardodeapagadotípico: | 160ns |
| Tiempotípicodedemoradeencendido: | 32ns |
| Ancho: | 6.22mm |
| Pesodelaunidad: | 4g |