IRF7322D1PBF
品牌
INTERNATIONAL
供应商
分类
Semiconductores>>Semiconductores discretos>>Transistores>>MOSFET
描述
MOSFET 20V FETKY 12 VGS 98 RDS 2.7VmOhm
物料参数
| Categoríadeproducto: | MOSFET |
| Fabricante: | Infineon |
| Tecnología: | Si |
| Estilodemontaje: | SMD/SMT |
| Paquete/Cubierta: | SO-8 |
| Númerodecanales: | 1Channel |
| Polaridaddeltransistor: | P-Channel |
| Vds-Tensióndisruptivaentredrenajeyfuente: | -20V |
| Id-Corrientededrenajecontinua: | -5.3A |
| RdsOn-Resistenciaentredrenajeyfuente: | 62mOhms |
| Vgs-Tensiónentrepuertayfuente: | 12V |
| Vgsth-Tensiónumbralentrepuertayfuente: | -0.7V |
| Qg-Cargadepuerta: | 19nC |
| Temperaturadetrabajomínima: | -55C |
| Temperaturadetrabajomáxima: | +150C |
| Empaquetado: | Tube |
| Modocanal: | Enhancement |
| Marca: | Infineon/IR |
| Configuración: | SingleDualDrain |
| Tiempodecaída: | 49ns |
| Transconductanciahaciadelante-Mín.: | 5.9S |
| Altura: | 1.75mm |
| Longitud: | 4.9mm |
| Dp-Disipacióndepotencia: | 2W |
| Tiempodesubida: | 40ns |
| Cantidaddeempaquedefábrica: | 95 |
| Tipodetransistor: | 1P-Channel |
| Tipo: | FETKYMOSFET&SchottkyDiode |
| Tiempoderetardodeapagadotípico: | 42ns |
| Tiempotípicodedemoradeencendido: | 15ns |
| Ancho: | 3.9mm |
| Pesodelaunidad: | 540mg |