IRF6678TR1
品牌
INTERNATIONAL
供应商
分类
MOSFET
描述
MOSFET 30V N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
物料参数
| 制造商: | InternationalRectifier |
| 产品种类: | MOSFET |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装/箱体: | DirectFET-7 |
| 通道数量: | 1Channel |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30V |
| Id-连续漏极电流: | 30A |
| RdsOn-漏源导通电阻: | 3mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压: | 20V |
| Qg-栅极电荷: | 43nC |
| 最大工作温度: | +150C |
| 封装: | Reel |
| 通道模式: | Enhancement |
| 商标: | InternationalRectifier |
| 配置: | SingleQuadDrainDualSource |
| 下降时间: | 8.1ns |
| 最小工作温度: | -40C |
| Pd-功率耗散: | 2.8W |
| 上升时间: | 71ns |
| 工厂包装数量: | 1000 |
| 晶体管类型: | 1N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 27ns |
| 典型接通延迟时间: | 21ns |