SSM3K15CT(TPL3)
品牌
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
物料参数
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | π-MOSVI |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V @ 100µA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 100mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | CST3 |
| 封装/外壳: | SC-101，SOT-883 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7.8 pF @ 3 V |
| 基本产品编号: | SSM3K15 |