IRF6610TR1

品牌
INTERNATIONAL
供应商
分类
MOSFET
描述
MOSFET 20V 1 N-CH 5.2mOhm DirectFET 2.1Vgs

物料参数

制造商:InternationalRectifier
产品种类:MOSFET
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:DirectFET-6
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:150V
Id-连续漏极电流:15A
RdsOn-漏源导通电阻:5.2mOhms
Vgs-栅极-源极电压:30V
最大工作温度:+150C
封装:Reel
通道模式:Enhancement
商标:InternationalRectifier
配置:SingleQuadDrain
下降时间:5.7ns
最小工作温度:-40C
Pd-功率耗散:2.2W
上升时间:51ns
工厂包装数量:1000
晶体管类型:1N-Channel
典型关闭延迟时间:15ns
典型接通延迟时间:12ns