S1JBM4G

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分立半导体产品>>二极管 - 整流器 - 单
描述
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

物料参数

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation
系列:-
包装:卷带(TR)
零件状态:有源
二极管类型:标准
电流 - 平均整流 (Io):1A
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V,1MHz
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:DO-214AA,SMB
供应商器件封装:DO-214AA(SMB)
工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 µA @ 600 V
基本产品编号:S1J