RN1908FE(TE85L,F)
品牌
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
描述
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
物料参数
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | - |
| 零件状态: | 有源 |
| 晶体管类型: | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 22 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 47 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 80 @ 10mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100nA（ICBO） |
| 频率 - 跃迁: | 250MHz |
| 功率 - 最大值: | 100mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | ES6 |
| 基本产品编号: | RN1908 |