UJ3C065030B3

品牌
UNITEDSIC
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 650V 65A TO263

物料参数

制造商:UnitedSiC
系列:-
零件状态:在售
FET 类型:N 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 50A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA
Vgs(最大值):±25V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):242W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263(D2Pak)
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
漏源电压(Vdss):650 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):51 nC @ 15 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1500 pF @ 100 V
基本产品编号:UJ3C065030