CMLDM5757TR
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述
2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 430mA 350mW 表面贴装 SOT-563
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | Central Semiconductor Corp |
| 系列: | - |
| 包装: | Digi-Reel® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET类型: | 2 个 P 沟道（双） |
| FET功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 430mA |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 900 毫欧 @ 430mA，4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | 1.2nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 175pF @ 16V |
| 功率-最大值: | 350mW |
| 工作温度: | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | SOT-563 |