GKI07301

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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单
描述
表面贴装 N 沟道 75V 6A(Ta) 3.1W(Ta),46W(Tc) 8-DFN(5x6)

物料参数

类别:分立半导体产品
制造商:Sanken
系列:-
包装:剪切带(CT)
零件状态:Digi-Key 停产
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):75V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):23.2 毫欧 @ 12.4A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 350µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1580pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):3.1W(Ta),46W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-DFN(5x6)
封装/外壳:8-PowerTDFN